2023 Hynix 300 layerProdusen chip Hynix memberi detil chip NAND Gen8 3D NAND memiliiki 330 layer.
Meningkatkan kapasitas SSD, harga lebih murah. Di jadwalkan tampil 2024 atau 2025.
Hynix menumpuk 300 lapis chip dan kapasitas dapat mencapai 1Tb bit (setara 128GB), kecepatan 2400MT/s, dengan 4 plane.
Kecepatana transfer internal sekitar 194MB/s sekitar 18% lebih cepat dibanding chip Gen7 dengan 238 layer.
2022 Desember YTMC 232 Layer NAND chipProdusen chip China
YMTC mulai mengirim SSD Zhitai TiPlus7100
Mengunakan chip 232 layer NAND Xtacking 3, kemampuan transfer 2400MT/s.
Tipe chip kecepatan tinggi dirancang untuk PCIe 5.0 melalui jalur PCIe x4, untuk mencapai 12,4GB/s.
Tapi SSD 512GB, 1TB dan 2TB dibuat untuk PCIe 4.0, dengan kecepatan 7GB dan 6GB/s untuk read write.
Kecepatan tidak setinggi model pabrikan lain seperti Samsung, Micron. Memiliki IOPS 900K dan 700K dan setingkat PCie 4.0.
SSD juga tidak dilengkapi memory buffer DDR, kabar untuk pasar SSD murah.
Chip YTMC diberi nama produk Zhitai.
YTMC memberi garansi 5 tahun, walau pabrikan China harga disana tidak berbeda dengan produk Samsung dan Micron. Tidak dijelaskan bagaimana dengan produk yang di ekspor ke pasar internasional.
Pesaing dari chip Micron 2550 232 layer TLC. chip hanya di set untuk 1600MT/s, cukup untuk produk SSD mainstream.
2022 NovemberSamsung generasi ke 8 chip V-NAND dapat digunakan untuk PCI 5.0
Kecepatan akan mencapai 12Gbps, dan chip telah di produksi masal.
Chip Samsung Gen8 memiliki speed 2400Mtps, cocok untuk kecepatan storage PCie 5.0.
Berita baiknya, chip menawarkan produksi lebih banyak sampai 20% dibanding IC Flash dengan kapasitas yang sama.
Membuat biaya produsek lebih rendah dengan hasil chip yang sama. Berpotensi harga SSD lebih terjangkau lagi.
Siapa yang akan mendapatkan produk perrtama, kemungkinan untuk aplikasi Client untuk kecepatan transfer tertinggi.
TLC 3D NAND
|
Micron B58R |
Kioxia/WD BiCS6 |
Kioxia/WD BiCS5 |
Samsung V8 |
Samsung V7 |
Samsung V6 |
SK Hynix V7 |
SK Hynix V6 |
Type (bit/cell) |
TLC (3 bits) |
capacity |
1 Tbit |
512 Gb |
1Tb/512Gb |
512 Gb |
plans |
6 |
4 |
Layers (WL) |
232 (2×116) |
162 (2×81) |
112 (2×56) |
230+ (?) |
176 (2×88) |
128 |
176 (2×88) |
128 (2×64) |
Ukuran |
~70mm² |
98mm² |
66mm² |
? |
~60mm² |
101.58mm² |
~47mm² |
~66mm² |
Kerapatan
|
14.6Gb/mm² |
10.4Gb/mm² |
7.8Gb/mm² |
? |
8.5Gb/mm² |
5.0Gb/mm² |
10.8Gb/mm² |
7.8Gb/mm² |
Read (tR) |
? |
50µs |
56 µs |
? |
40µs |
45 µs |
50µs |
56 µs |
Program |
? |
160MB/s |
132MB/s |
164 MB/s (?) |
184MB/s |
82MB/s |
168MB/s |
132MB/s |
I/O |
2.4Gb/s |
2.0Gb/s |
1.066Gb/s |
2.4Gb/s |
2.0Gb/s |
1.2Gb/s |
1.6Gb/s |
1.066Gb/s |
2022 AgustusSK Hynix produsen memory chip meningkatkan lapisan chip NAND dengan 238 layer untuk di produksi tahun 2023.
Berbeda dengan kerapatan chip Micron dengan 3D, SK Hynix mengunakan sistem 4D 238 layer.
Chip 4D tidak diartikan 4 dimensi, tetap dengan disain 3D dan nama 4D untuk pemasaran.
Disain chip TLC dengan 3 bit per sel, dan kapasitas 512Gbit atau setara 64GB
Perbedaan pada unit I/O yang ditumpuk berlapis satu sama lain.
Chip NAND Hynix dapat digunakan untuk SSD, termasuk perangkat smartphone dan storage server.
Micron memilih 232 layer untuk kinerja lebih baik. Mencapai kerapatan tertinggi untuk chip TLC dengan disain 6 bidang untuk memasimalkan kinerja.
Samsung 3D NAND V8, memiliki 238 layer atau 236 layer.
Alasan dari pembuatan chip dengan sistem stack, kurang penting bagi produsen. Dibanding daya tahan chip yang dibutuhkan untuk konsumen.
2022 Juli
Micron mulai memproduksi jumlah besar chip teknologi tercanggih NAND 3D sebagai chip storage SSD.
Disebut model B58R, menjadi chip dengan kerapatan tertinggi disain TLC sampai Juli 2022.
Menumpuk 2 chip 116 layer, telah di kirim ke pelanggan Micron
Chip dengan kepadatan kapasitas NAND baru, membuka jalan produksi SSD sampai 200TB
2022 Mei
Micron kembangkan chip dengan 232 layer, serta kapasitas QLC dengan chip TLC.
Chip TLC 1 TB (128GB) per keping silikon, dapat menampung 2x kapasitas generasi sebelumnya 172 layer dan setingkat kepadatan QLC.
Walau di tahun 2020 lalu, Micron baru memperkenalkan 176 layer NAND. Dan sudah digunakan bersama controller Phison E18.
Tidak lama lagi kapasitas SSD akan semakin besar, setidaknya tahun 2023.
Micron mengunakan 176 lapis chip dengan 2 x 88 lapis yang ditumpuk, dapat mengurangi ukuran chip.
Tidak disebutkan teknologi 232 layer, dipastikan kapasitas satu chip dapat menampung data lebih besar yang sebelumnya hanya dicapai dengan chip QLC.

WD rencana memproduksi 162 layer NAND akhir tahun 2022. Selanjutnya melewati 200 layer tahun 2024
WD dengan pabrik chip Kioxia, akan memproduksi masal 162 layer Bics6 teknologi TLC dan QLC. Sepertinya akan disiapkan untuk PCie 5.
2019 AgustusSamsung mulai memproduksi masal chip generasi ke 6 256GB 3bit vertikal NAND memory.
Teknologi
tersebut pertama kali membawa 100 lapis chip sel. Memiliki kecepatan
penulisan 450 mikro detik, dan read atau pembacaan data 45 ms.
Dibanding
chip generasi sebelumnya dengan 90 layer. Kecepatan chip 100 layer
memiliki peningkatan kecepatan 10%, dan menurun pemakaian power sampai
15%.
Chip untuk SSD generasi ke 6 hanya terpaut 13 bulan setelah diluncurkan generasi sebelumnya.
Dan Samsung mengejar kecepatan untuk memproduksi masal dalam 4 bulan.
2018 SeptemberTechinsight memperkirakan berdasarkan data teknologi chip NAND. Yang umum digunakan untuk SSD storage, NVme storage.
Setelah
teknologi chip 3D Nand atau dikenal dengan TriCell TLC. Kapasitas chip
storage dapat ditingkatkan dengan ukuran keping yang sama. Kemajuan
teknologi chip NAND berdampak dengan harga, biayanya lebih murah.
Membuat SSD saat ini semakin terjangkau.
5
tahun kedepan, teknologi chip NAND tidak lagi berisi beberapa lapis
dengan sistem tumpuk. DIperkirakan dapat dibuat sampai 500 lapis.
Samsung
dan Toshiba diperkirakan dapat mencapai kemajuan signifikan di tahun
2022 mendatang. Jumlah lapisan cell dari lempeng chip mungkin dapat
mencapai 200 layer.
Mundur setahun sekitar 2021, perkiraan lain lapisan chip NAND sudah mampu dibuat setidaknya 256 layer.
Saat
ini chip NAND untuk SSD sudah mencapai 64 layer. Generasi selanjutnya
akan dibuat sampai 96 layer, tapi baru diproduksi mahal akhir tahun
2018.
Tahun 2018.Toshiba Western Digital bekerja sama untuk pembuatan chip 96 layer, terlihat lebih dahulu dibanding Samsung.
Toshiba BiCS4 Flash QLC dapat digunakan sebagai chip dengan daya tampung paling besar sampai 1.33 Tbit
Samsung
NAND v5 September 2018 hanya tersedia tipe chip NAND TLC. Dengan
kapasitas lebih rendah 256Gbit, tapi rencananya tahun 2019 akan dibuat
1Tbit dengan varian QLC.
Intel dan Micron akan mengembangkan chop NAND generasi ke 4.
Micron menawarkan keunikan chip NAND dengan CMOS under array.
Hynix telah menyiapkan 96 layer 3D NAND.
YMTC produsen chip asal China telah mengumumkan teknologi chip terbaru mereka, tapi secara teknikmasih tertinggal di belakang.
Teknologi
terbaru dengan proses pembuatan sistem tumpuk membuat harga storage
tipe Chip semakin murah. Diperkirakan harga storage seperti SSD, kartu
NVme bahkan storage untuk smartphone semakin terjangkau.