Teknologi NAND chip SSD ditumpuk dan di padatkan berlanjut sampai 2022


Technology | 2 August 2019


2019 Agustus
Samsung mulai memproduksi masal chip generasi ke 6 256GB 3bit vertikal NAND memory.
Teknologi tersebut pertama kali membawa 100 lapis chip sel. Memiliki kecepatan penulisan 450 mikro detik, dan read atau pembacaan data 45 ms.
Dibanding chip generasi sebelumnya dengan 90 layer. Kecepatan chip 100 layer memiliki peningkatan kecepatan 10%, dan menurun pemakaian power sampai 15%.

Chip untuk SSD generasi ke 6 hanya terpaut 13 bulan setelah diluncurkan generasi sebelumnya.
Dan Samsung mengejar kecepatan untuk memproduksi masal dalam 4 bulan.

Disini masalah harga chip NAND... semakin murah.

Produsen akan menghadapi oversupply dan suplier akan saling bersaing.


2018 September
Techinsight memperkirakan berdasarkan data teknologi chip NAND. Yang umum digunakan untuk SSD storage, NVme storage.

Setelah teknologi chip 3D Nand atau dikenal dengan TriCell TLC. Kapasitas chip storage dapat ditingkatkan dengan ukuran keping yang sama. Kemajuan teknologi chip NAND berdampak dengan harga, biayanya lebih murah. Membuat SSD saat ini semakin terjangkau.

5 tahun kedepan, teknologi chip NAND tidak lagi berisi beberapa lapis dengan sistem tumpuk. DIperkirakan dapat dibuat sampai 500 lapis.

Samsung dan Toshiba diperkirakan dapat mencapai kemajuan signifikan di tahun 2022 mendatang. Jumlah lapisan cell dari lempeng chip mungkin dapat mencapai 200 layer.



Mundur setahun sekitar 2021, perkiraan lain lapisan chip NAND sudah mampu dibuat setidaknya 256 layer.




Saat ini chip NAND untuk SSD sudah mencapai 64 layer. Generasi selanjutnya akan dibuat sampai 96 layer, tapi baru diproduksi mahal akhir tahun 2018.

Tahun 2018.
Toshiba Western Digital bekerja sama untuk pembuatan chip 96 layer, terlihat lebih dahulu dibanding Samsung.
Toshiba BiCS4 Flash QLC dapat digunakan sebagai chip dengan daya tampung paling besar sampai 1.33 Tbit

Samsung NAND v5 September 2018 hanya tersedia tipe chip NAND TLC. Dengan kapasitas lebih rendah 256Gbit, tapi rencananya tahun 2019 akan dibuat 1Tbit dengan varian QLC.

Intel dan Micron akan mengembangkan chop NAND generasi ke 4.

Micron menawarkan keunikan chip NAND dengan CMOS under array.

Hynix telah menyiapkan 96 layer 3D NAND.

YMTC produsen chip asal China telah mengumumkan teknologi chip terbaru mereka, tapi secara teknikmasih tertinggal di belakang.

Teknologi terbaru dengan proses pembuatan sistem tumpuk membuat harga storage tipe Chip semakin murah. Diperkirakan harga storage seperti SSD, kartu NVme bahkan storage untuk smartphone semakin terjangkau.

Berita terkait
Cara kerja sensor sidik jari Qualcomm 3D Sonic Max dengan 2 jari tangan. Sensor Capacitive yang umum digunakan di smartphone pemula dan menengah. Teknologi sensor sidik jari optik sebagaimodel kelas menengah ditempatkan di tengah layar. Lebih canggih sensor ultrasonik yang lebih akurat mengenal sidik jari.

Samsung Exynos Modem 5123 kemampuan download 5.1Gbps dengan smartphone melalui jaraingan 5G. Dan mencapai 7.3Gbps di spektrum mmWave.
Samsung telah memproduksi masal modem 5G. Seri Exynos 5100 sebagai chip utama, Exynos RF 5500 dan Exynos SM5800 sebagai chip pendamping.



Samsung kembangkan HBM2E dengan nama Flashbolt. 33% lebih cepat dari teknologi HBM2. Menjadi solusi baru di teknologi VRAM. Kecepatan 50% lebih tinggi dari HBM2 untuk VGA. Hynix menyiapkan HBM2E

Hynix dikabarkan telah mengirim chip 1TB Quadruple Level Cell Storage atau QLC-1 ke perushaan SSD. Hynix adalah perusahaan pembuat micro chip, dimana chip akan digunakan oleh perusahaan lain sebagai produk. SK Hynix juga mengembangkan teknologi perangkat lunak algoritma bersama controller SSD.

Mau di isi apa dengan 1TB. 2018 pertama microSD 512GB tampil dari produk Integral. Tidak lama beberapa produsen menawarkan kapasitas microSD 400GB dan 500GB. 2019 microSD terbesar 1TB akan ditawarkan Sandisk. Kecepatan tranfer 90MB sampai 60MB perdetik.

Samsung resmi mengumumkan teknologi 12GB LPDDR4X (bukan LPDDR4 biasa), sementara akan diproduksi dalam jumlah sedikit. Samsung mengatakan disain smartphone dengan 8 atau 12GB sudah menjadi standar di smartphone high end. Samsung LPDDR4X dibuat dengan teknolopgi 10nm, disebut 1y, dan selanjutnya dinamai 1x.

Intel mengunakan teknologi yang disebut Intel Optane. Kemampuan memory kecepatan tinggi, dengan latensi rendah. Samsung mengunakan Z-NAND. WD mengungkap sedang merancangkan NAND Flash LLF seperti Samsung dan Intel. Bahkan akan menjadi pesaing di kelas kecepatan memory tinggi.



Transonic Truss-Braced Wing rancangan sayap dalam disain konsep Boeing. Memberikan pesawat lebih hijau karena hemat bahan bakar tapi lebih cepat. Disain sayap Transonic Truss-Braced Wing / TTBW membantu pesawat komersil terbang lebih hemat bahan bakar dan lebih tentang.




No popular articles found.